Zobrazeno 1 - 10
of 135
pro vyhledávání: '"O. Tomanec"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Josef Polčák, O. Tomanec, Miroslav Kolíbal, Tomáš Šikola, Jan Čechal, Tomáš Matlocha, Petr Dub, Radek Kalousek
Publikováno v:
Thin Solid Films. 517:1928-1934
Deposition and oxidation of metallic gallium droplets on Si(111) were studied by angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy. Two gallium peaks – Ga 3d and Ga 2p – were simultaneously measured in order to get an advantage of different inelast
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ef39f2db29b41792965a00c22b27930d
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.10.011
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.10.011
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
O. Tomanec, Tomáš Šikola, L. Dittrichova, J. Spousta, Miroslav Kolíbal, Peter Bauer, S.N. Markin, M. Plojhar, Stanislav Průša
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 265:569-575
Low energy ion scattering (LEIS) is used to characterize Ga layers deposited onto Si(1 1 1)-(7 × 7) substrates at different deposition temperatures. The Ga/Si system exhibits a pronounced 3D island growth and thus is a suitable object to investigate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::69163f048eba1c2b70813fa18d53e4c6
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2007.09.038
https://doi.org/10.1016/j.nimb.2007.09.038
Autor:
David Škoda, Pavel Jánský, O. Tomanec, Miroslav Bartošík, J. Spousta, Radek Kalousek, J. Zlámal, Tomáš Šikola
Publikováno v:
Journal of Physics: Conference Series. 61:75-79
In this paper the influence of relative humidity on fabrication of nanostructures at GaAs (100) surfaces by local anodic oxidation (LAO) is reported. The attention was paid both to the dimensions of oxide nanolines prepared at different relative humi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::724daf5999b82267a4e97d6ff4e580f6
https://doi.org/10.1088/1742-6596/61/1/016
https://doi.org/10.1088/1742-6596/61/1/016