Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"O. Riabukhin"'
Publikováno v:
Journal of Instrumentation. 17:C12018
The GaAs detectors are radiation hard against a few MGy of high-energy (MeV) electrons. The main reason for detector functionality degradation is the reduction of their charge collection efficiency and together with reverse current increase these fac
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::19ef6fdf9ba5c5cc2939a638479aa7b6
https://doi.org/10.1088/1748-0221/17/12/c12018
https://doi.org/10.1088/1748-0221/17/12/c12018
Publikováno v:
Journal of Instrumentation. 16:C12032
Radiation degradation of semi-insulating GaAs detectors by 8 MeV electrons up to doses of 1500 kGy is studied in this paper. The influence of irradiation on GaAs material parameters and on spectrometric and electrical properties of fabricated detecto
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b16d5353e3016fee442f5a8b09cede96
https://doi.org/10.1088/1748-0221/16/12/c12032
https://doi.org/10.1088/1748-0221/16/12/c12032
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.