Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"O. Regreny"'
Publikováno v:
12th International Electronic Manufacturing Technology Symposium.
In this paper, we describe the process that we have developped for optoelectranic uses from 2 to 20 GHz. It includes the realization of 2 levels of interconnexion lines on one side of alumina substrate and ground plane on the other side, metallizated
Publikováno v:
Le Journal de Physique Colloques. 47:C1-901
Publikováno v:
Materials Research Bulletin. 18:123-133
Ga1− xAlxAs epitaxial layers have been grown by Molecular Epitaxy. The molar fraction of AlAs has been determined on one hand by Atomic Absorption Spectrometry and on the other hand by X ray diffraction. A good agreement exists between the results
Publikováno v:
Analytica Chimica Acta. 135:193-204
Summary The method described for the analysis of III—V semiconducting materials by sparksource mass spectrometry is especially suitable for the characterization of indium phosphide single crystals. As a means of standardization, some of the crystal
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Periodical
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.