Zobrazeno 1 - 10
of 270
pro vyhledávání: '"O. Moutanabbir"'
Publikováno v:
Advanced Physics Research, Vol 3, Iss 9, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract A comprehensive modeling approach for elucidating the intricacies of electro‐optic (EO) sampling is presented, which fully encapsulates the EO sampling process by accounting for all linear and second‐order nonlinear optical effects. The
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/61ef50a260704dd0ae02a4e69a5579b1
Publikováno v:
APL Photonics, Vol 9, Iss 5, Pp 056103-056103-7 (2024)
There is an increasing need for silicon-compatible high-bandwidth extended-short wave infrared (e-SWIR) photodetectors (PDs) to implement cost-effective and scalable optoelectronic devices. These systems are quintessential to address several technolo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1e7b5589d1e64456921f32618f36afcc
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 13, Iss 1, Pp 1-8 (2023)
Abstract The highly-nonlinear chalcopyrite crystal family has experienced remarkable success as source crystals in the mid-infrared spectral range, such that these crystals are primary candidates for producing high terahertz frequency (i.e., $$\gtrsi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d1c6e6a3b7c14844af22c574fa00fbb7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Monolithic integration of extended short-wave infrared photodetectors (PDs) on silicon is highly sought-after to implement manufacturable, cost-effective sensing and imaging technologies. With this perspective, GeSn PIN PDs have been the subject of e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::38210e42e043678ada93067dcce1bb30
http://arxiv.org/abs/2203.03409
http://arxiv.org/abs/2203.03409
