Zobrazeno 1 - 10
of 141
pro vyhledávání: '"O. Kudoh"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Aizaki, S. Aizaki, O. Kudoh, K. Abe, M. Ohkawa, Y. Okuyama, T. Shimizu, M. Ando, I. Sasaki
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 25:1063-1067
A 4-Mb SRAM with 15-ns access time and selectable (*4/*1) bit organization based on a 0.55- mu m triple-polysilicon double-metal CMOS technology is discussed. To achieve 15-ns access time, a sense amplifier with input-controlled PMOS loads (ICPLs), Y
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5418e590d5d2929aedf487b97221df61
https://doi.org/10.1109/4.62125
https://doi.org/10.1109/4.62125
Publikováno v:
1985 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers.
This paper will report on a 55ns 256K CMOS SRAM that utilizes optimized poly load resistors, buried isolation and Ti polycide to achieve 10μW standby power in a 40.7mm2die.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0b2481460d9569995157931697790be5
https://doi.org/10.1109/isscc.1985.1156780
https://doi.org/10.1109/isscc.1985.1156780
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings on Bipolar Circuits and Technology Meeting.
A novel BiCMOS gate array cell which has high CMOS compatibility is proposed. The BiCMOS gate is composed of a diode connected bipolar driver and a CMOS function unit fully compatible with the original CMOS gate which is converted to the BiCMOS gate.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::75808312597de1d3cc7d649476ca8268
https://doi.org/10.1109/bipol.1990.171143
https://doi.org/10.1109/bipol.1990.171143
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.