Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"O. Kshensky"'
Autor:
Roman Sergeevich Shkarlat, Michael Shur, V. Poyarkov, O. Kshensky, B. Iniguez, Valentin O. Turin, Gennady I. Zebrev
Publikováno v:
International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018.
We derived the equation for the drain current of a short-channel MOSFET with nonzero differential conductance in saturation regime describing its nonlinear dependence on “extrinsic” drain bias and accounting for the parasitic and contact series r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a1e422b2347a7ce92f87725870ed3ac2
https://doi.org/10.1117/12.2521880
https://doi.org/10.1117/12.2521880
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.