Zobrazeno 1 - 10
of 72
pro vyhledávání: '"O. Kiprijanovic"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
L. Ardaravičius, Lester F. Eastman, Michael G. Spencer, Arvydas Matulionis, Ho-Young Cha, Young-Chul Choi, O. Kiprijanovic
Publikováno v:
Materials Science Forum. :861-864
Because SiC does not have velocity overshooting behaviour, the current density of SiC metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs) is restricted by low drift velocity in the parasitic region between source and gate where the applied electri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3c8aa6faf85616e286cadb1f88416967
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.861
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.861
Autor:
Arvydas Matulionis, L.F. Eastman, M. Ramonas, Xiaodong Chen, Y. J. Sun, James R. Shealy, O. Kiprijanovic, J. Liberis, Linas Ardaravičius
Publikováno v:
physica status solidi (a). 202:808-811
Nanosecond-pulsed current-voltage measurements were used to study hot-electron transport in undoped AlGaN/GaN and AlGaN/AlN/GaN two-dimensional electron gas channels biased up to 200 kV/cm. Voltage pulses of 1 ns were applied in order to minimize cha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::31fcf66db46a653bb2a3aef2d0095a12
https://doi.org/10.1002/pssa.200461618
https://doi.org/10.1002/pssa.200461618
Autor:
Michael G. Spencer, O. Kiprijanovic, L.F. Eastman, Young-Chul Choi, Arvydas Matulionis, L. Ardaravičius, Ho-Young Cha
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 34:330-335
High field-dependent electron transport characteristics in 4H-SiC were measured successfully using a nanosecond-pulsed technique. It should be noted that the velocity-field characteristics of SiC are different from GaAs in that SiC does not have velo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4f46c2cab904647c5a1a88c3ae35e956
https://doi.org/10.1007/s11664-005-0105-6
https://doi.org/10.1007/s11664-005-0105-6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
James R. Shealy, J. Liberis, Arvydas Matulionis, A. Vertiatchikh, L. Ardaravičius, O. Kiprijanovic, L.F. Eastman, M. Ramonas
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 83:4038-4040
Current–voltage characteristics of a nominally undoped AlGaN/GaN two-dimensional electron gas channel is measured at a room temperature, and electron drift velocity is deduced under assumption of uniform electric field and field-independent electro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f8c96c8c499f883df650a25748a9ca69
https://doi.org/10.1063/1.1626258
https://doi.org/10.1063/1.1626258
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.