Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"O. Calliger"'
Publikováno v:
IEE Proceedings - Optoelectronics. 142:13-16
Using GaAs-on-InP heteroepitaxial technology, a 1.3 µm OEIC transmitter combining a BRS laser with two GaAs metal-semiconductor field-effect-transistors has been fabricated. The device design, fabrication processing and performance are described. 8
Autor:
R. Lefevre, R. Azoulay, K. Sauv, J.M. Dumas, M. Chertouk, A. Clei, S. Sainson, O. Calliger, M. Feuillade
Publikováno v:
15th Annual GaAs IC Symposium.
High performance FETs and circuits realized on GaAs layers heteroepitaxially grown on InP are described. Low parasitic effects are ascertained by noise and pulse measurements indicating a low electrical activity of the defects related to the lattice
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Govind P. Agrawal
This book provides a comprehensive account of fiber-optic communication systems. The 3rd edition of this book is used worldwide as a textbook in many universities. This 4th edition incorporates recent advances that have occurred, in particular two