Zobrazeno 1 - 10
of 18
pro vyhledávání: '"O Korovyanko"'
Autor:
P. M. Fochuk, Ralph B. James, L. P. Shcherbak, O Korovyanko, Aleksey E. Bolotnikov, Z. I. Zakharuk, I. Nakonechnyi
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 475:26-32
We report our investigation of the influence of annealing on the behavior of dislocations in CdTe and cadmium zinc telluride (CZT) crystals. The results are discussed taking into account the tellurium diffusion from inclusions. The effect of thermal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6555cb59ced0fc578f9d52c5c15acff3
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.05.017
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.05.017
Publikováno v:
physica status solidi c. 3:821-824
High temperature Hall effect measurements at 570–1070 K under well defined Te vapor pressure in CdTe single crystals grown by THM and Bridgman techniques were made. Both the free carrier density versus Te vapour pressure value and temperature depen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::97b6c340ba3b703662aacd33bebf40f7
https://doi.org/10.1002/pssc.200564676
https://doi.org/10.1002/pssc.200564676
Publikováno v:
Journal of Alloys and Compounds. 371:10-14
The issue of modelling of point defect structure in In(Ga)-doped CdTe crystals has been analyzed. Contrary to previous papers, it has been shown that high-temperature point defect equilibrium modelling can be successfully achieved if sufficient exper
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5c09d06e1fe39cd32bed1fd68231147e
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2003.05.003
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2003.05.003
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 207:273-277
High-temperature electrical measurements are explained in the framework of the theory of quasi-chemical reactions between defects in solids using solubility data for In in CdTe. The free carrier density is dependent on the solubility of dopant and th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a5917228c4ea63be9c6350a6545a7cc0
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(99)00378-4
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(99)00378-4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
High effect measurements were carried out in the 500 - 1200 K temperature range under controlled Cd vapor pressure (PCd equals 10-5-3 atm). Samples' saturation by In was performed from the vapor phase at 1073 K under PIn during 24 or 240 hours. The I
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5be77a6fbed6e56a8730c9ac067d3ac9
https://doi.org/10.1117/12.342974
https://doi.org/10.1117/12.342974
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
High-temperature (673-1173 K) electrical property (σ, R H ) measurements in undoped and In-doped (up to 1 × 10 20 at/cm 3 ) CdTe were performed undcr different stoichiometric conditions. Cadmium (tellurium) vapor pressure or temperature electron (h
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::318fdbab4c57000885ca98d0476750ba
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0033514134&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0033514134&partnerID=MN8TOARS
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.