Zobrazeno 1 - 10
of 112
pro vyhledávání: '"O Concepción"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied physics / A 129(3), 235 (2023). doi:10.1007/s00339-023-06478-4
Si–Ge–Sn alloys are offering unusual material properties with a strong potential to add a variety of functionalities to advanced CMOS technology. Being a group IV alloy, SiGeSn can be monolithically integrated on Si. The discovery of a direct ban
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a91e45b0c01f589c1488654fe68e3159
https://juser.fz-juelich.de/record/1005248
https://juser.fz-juelich.de/record/1005248
Autor:
M. Frauenrath, P. Acosta Alba, O. Concepción, J.-H. Bae, N. Gauthier, E. Nolot, M. Veillerot, N. Bernier, D. Buca, J.-M. Hartmann
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 163:107549
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fc355e40fbabde583dd42e7595725047
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107549
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107549
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 12:064001
Dopant concentrations higher than 1 × 1019 cm−3 are required to improve the performances of various GeSn based devices such as photodetectors, electrically pumped lasers and so on. In this study, the in situ Boron and Phosphorous doping of SiGeSn
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::28d1819474caf21cc70fa5607808a49b
https://doi.org/10.1149/2162-8777/acd720
https://doi.org/10.1149/2162-8777/acd720
Autor:
S Magalhães, J S Cabaço, O Concepción, D Buca, M Stachowicz, F Oliveira, M F Cerqueira, K Lorenz, E Alves
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics 56(2023), 245102
In the present work, the importance of determining the strain states of semiconductor compounds with high accuracy is demonstrated. For the matter in question, new software titled LAPAs, the acronym for LAttice PArameters is presented. The lattice pa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9cc36ec9d642a5cb3d3c1bb6316c1222
https://doi.org/10.1088/1361-6463/acc597
https://doi.org/10.1088/1361-6463/acc597
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
V. Zamora, O Concepción, M. Cid, Romelio Rodríguez, Y. Alvares, G. L. Lorente, L. Napoles, L. Hernández
Publikováno v:
Acta Horticulturae. :121-128
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c5e8c3b2a72a0e3efe7544cfc3011d80
https://doi.org/10.17660/actahortic.2019.1239.15
https://doi.org/10.17660/actahortic.2019.1239.15