Zobrazeno 1 - 10
of 51
pro vyhledávání: '"Ošt'ádal, Ivan"'
Autor:
Lüpke, Felix, Doležal, Jiří, Cherepanov, Vasily, Ošt'ádal, Ivan, Tautz, F. Stefan, Voigtländer, Bert
Publikováno v:
Surface Science 681, 130 (2019)
The Te-covered Si(111) surface has received recent interest as a template for the epitaxy of van der Waals (vdW) materials, e.g. Bi$_2$Te$_3$. Here, we report the formation of a Te buffer layer on Si(111)$-$(7$\times$7) by low-energy electron diffrac
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1810.05553
Growth of atomic indium chains - 1D islands - on the Si(100)-2x1 surface was observed by scanning tunneling microscopy (STM) at room temperature and simulated by means of a kinetic Monte Carlo method. Density of indium islands and island size distrib
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0812.4987
Publikováno v:
In Surface Science July 2012 606(13-14):991-995
Autor:
Sobotík, Pavel, Ošt’ádal, Ivan
Publikováno v:
In Surface Science 2008 602(17):2835-2839
Autor:
Zimmermann, Petr, Sobotík, Pavel, Kocán, Pavel, Ošt'ádal, Ivan, Vorokhta, Mykhailo, Acres, Robert George, Matolín, Vladimír
Publikováno v:
Journal of Chemical Physics; 2016, Vol. 145 Issue 9, p1-7, 7p, 3 Diagrams, 1 Chart, 4 Graphs
Publikováno v:
In Vacuum 29 November 2004 76(4):465-469
Publikováno v:
In Surface Science 2004 566 Part 1:216-220
Publikováno v:
In Surface Science 2002 507:389-393
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.