Zobrazeno 1 - 10
of 161
pro vyhledávání: '"Nyns, L"'
Autor:
Belmonte, A., Reale, G., Fantini, A., Radhakrishnan, J., Redolfi, A., Devulder, W., Nyns, L., Kundu, S., Delhougne, R., Goux, L., Kar, G.S.
Publikováno v:
In Solid State Electronics October 2021 184
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sioncke, S., Vanherle, W., Art, W., Ceuppens, J., Ivanov, Ts., Lin, D., Nyns, L., Delabie, A., Conard, T., Struyf, H., De Gendt, S., Caymax, M., Collaert, N., Thean, A.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering September 2013 109:46-49
Autor:
Verdonck, P., Delabie, A., Swerts, J., Farrell, L., Baklanov, M.R., Tielens, H., Van Besien, E., Witters, T., Nyns, L., Van Elshocht, S.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering June 2013 106:81-84
Autor:
Ramesh, S., Palayam, S. V., Ajaykumar, A., Opsomer, K., Bastos, J., Ragnarsson, L. -A., Breuil, L., Arreghini, A., Wouters, L., Spampinato, V., Favia, P., Mehta, A. N., Carolan, P., Nyns, L., Katcko, K., Stiers, J., Van Den Bosch, G., Rosmeulen, M.
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2803ad2edf9150f2620fb5c6e9aca4b5
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720571
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720571
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2011 88(7):1098-1100