A study of inner process double-resonance Raman scattering in bilayer graphene

Autor: Mafra, D.L., Moujaes, E.A., Doorn, S.K., Htoon, H., Nunes, R.W., Pimenta, M.A.

Publikováno v: In Carbon 2011 49(5):1511-1515

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

An order-N study of dislocations in homopolar semiconductors

Autor: Nunes, R.W.

Publikováno v: Brazilian Journal of Physics v.29 n.4 1999
Brazilian Journal of Physics
Sociedade Brasileira de Física (SBF)
instacron:SBF
Brazilian Journal of Physics, Volume: 29, Issue: 4, Pages: 661-669, Published: DEC 1999

This article surveys the main results of the author's work, in collaboration with David Vanderbilt and John Bennetto, on the application of the order-N density-matrix approach, together with ab initio methods, to investigate the atomic structure of d

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::85e9bf4a5aafe4f2da88b04eb092081a
http://old.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0103-97331999000400009

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.