Výsledky vyhledávání - "Nukariya, Takahide"

Akademický článek

Reduction in Gap State Density near Valence Band Edge at Al2O3/p‐type GaN Interface by Photoelectrochemical Etching and Subsequent SiO2 Cap Annealing.

Autor: Jiao, Yining, Nukariya, Takahide, Takatsu, Umi, Narita, Tetsuo, Kachi, Tetsu, Sato, Taketomo, Akazawa, Masamichi

Publikováno v: Physica Status Solidi (B); Nov2024, Vol. 261 Issue 11, p1-9, 9p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Detection of defect levels in vicinity of Al2O3/p-type GaN interface using sub-bandgap-light-assisted capacitance–voltage method.

Autor: Akazawa, Masamichi, Tamamura, Yuya, Nukariya, Takahide, Kubo, Kouta, Sato, Taketomo, Narita, Tetsuo, Kachi, Tetsu

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/21/2022, Vol. 132 Issue 19, p1-10, 10p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.