Zobrazeno 1 - 10
of 86
pro vyhledávání: '"Northrup, John E."'
Autor:
Rivnay, Jonathan, Noriega, Rodrigo, Northrup, John E., Kline, R. Joseph, Toney, Michael F., Salleo, Alberto
We quantify the degree of disorder in the {\pi}-{\pi} stacking direction of crystallites of a high performing semicrystalline semiconducting polymer with advanced X-ray lineshape analysis. Using first principles calculations, we obtain the density of
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1012.2240
Autor:
Neugebauer, Joerg, Zywietz, Tosja, Scheffler, Matthias, Northrup, John E., Van de Walle, Chris G.
We have investigated clean and As-covered zinc-blende GaN (001) surfaces, employing first-principles total-energy calculations. For clean GaN surfaces our results reveal a novel surface structure very different from the well-established dimer structu
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9705111
Autor:
Kneissl, Michael *, Van de Walle, Chris G., Bour, David P., Romano, Linda T., Goddard, Lynford L., Master, Cyrus P., Northrup, John E., Johnson, Noble M.
Publikováno v:
In Journal of Luminescence 2000 87:135-139
Autor:
Northrup, John E. *
Publikováno v:
In Physica B: Physics of Condensed Matter 15 December 1999 273-274:130-133
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
III-Nitride Ultraviolet Emitters; 2016, p193-217, 25p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jacobs, B., van Straaten, B.C.L., Krämer, M.C.J.C.M., Karouta, F., Hek, de, A.P., Suijker, E., Dijk, van, R., Northrup, John E.
Publikováno v:
GaN and related alloys : symposium, 2001, held November 26-30, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A., 629-634
STARTPAGE=629;ENDPAGE=634;TITLE=GaN and related alloys : symposium, 2001, held November 26-30, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.
STARTPAGE=629;ENDPAGE=634;TITLE=GaN and related alloys : symposium, 2001, held November 26-30, 2001, Boston, Massachusetts, U.S.A.
We have investigated Coplanar Waveguide (CPW) elements on AlN for use in future AlGaN/GaN based power amplifiers. This technology becomes crucial if a via-hole technology is not available. Lines, discontinuities, metal-insulator-metal (MIM) capacitor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::39a5e0d43e04ed735d34793883c6072f
https://doi.org/10.1557/proc-693-i11.1.1
https://doi.org/10.1557/proc-693-i11.1.1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.