Zobrazeno 1 - 10
of 97
pro vyhledávání: '"Northrop G"'
Autor:
Rodrı́guez, R., Stathis, J.H., Linder, B.P., Kowalczyk, S., Chuang, C.T., Joshi, R.V., Northrop, G., Bernstein, K., Bhavnagarwala, A.J., Lombardo, S.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability 2002 42(9):1445-1448
Autor:
Liebmann, L., Northrop, G., Facchini, M., Riviere-Cazaux, L., Baum, Z., Nakamoto, N., Sun, K., Chanemougame, D., Han, G., Gerousis, V.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; 1/16/2018, Vol. 10588, p1-11, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rodriguez R., Stathis J.H., Linder B.P., Kowalczyk S., Chuang C.T., Joshi R.V., Northrop G., Bernstein K., Bhavnagarwala A.J., Lombardo S.
Publikováno v:
IEEE electron device letters
23 (2002): 559–561.
info:cnr-pdr/source/autori:Rodriguez R., Stathis J.H., Linder B.P., Kowalczyk S., Chuang C.T., Joshi R.V., Northrop G., Bernstein K., Bhavnagarwala A.J., Lombardo S./titolo:The impact of gate-oxide breakdown on SRAM stability/doi:/rivista:IEEE electron device letters (Print)/anno:2002/pagina_da:559/pagina_a:561/intervallo_pagine:559–561/volume:23
23 (2002): 559–561.
info:cnr-pdr/source/autori:Rodriguez R., Stathis J.H., Linder B.P., Kowalczyk S., Chuang C.T., Joshi R.V., Northrop G., Bernstein K., Bhavnagarwala A.J., Lombardo S./titolo:The impact of gate-oxide breakdown on SRAM stability/doi:/rivista:IEEE electron device letters (Print)/anno:2002/pagina_da:559/pagina_a:561/intervallo_pagine:559–561/volume:23
We have investigated the effects of oxide soft breakdown (SBD) on the stability of CMOS 6T SRAM cells. Gate-to-diffusion leakage currents of 20-50 A at the n-FET source can result in a 50% reduction of noise margin. Breakdown at other locations in th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=cnr_________::cb42473fa46f3b2bd489d10733754539
http://www.cnr.it/prodotto/i/35270
http://www.cnr.it/prodotto/i/35270
Autor:
Rodríguez, R., James Stathis, Linder, B. P., Kowalczyk, S., Chuang, C. T., Joshi, R. V., Northrop, G., Bernstein, K., Bhavnagarwala, A. J., Lombardo, S.
Publikováno v:
Microelectronics and reliability 42 (2002): 1445–1448.
info:cnr-pdr/source/autori:Rodriguez R., Stathis J.H., Linder B.P., Kowalczyk S., Chuang C.T., Joshi R.V., Northrop G., Bernstein K., Bhavnagarwala A.J., Lombardo S./titolo:Analysis of the effect of the gate oxide breakdown on SRAM stability/doi:/rivista:Microelectronics and reliability/anno:2002/pagina_da:1445/pagina_a:1448/intervallo_pagine:1445–1448/volume:42
Scopus-Elsevier
info:cnr-pdr/source/autori:Rodriguez R., Stathis J.H., Linder B.P., Kowalczyk S., Chuang C.T., Joshi R.V., Northrop G., Bernstein K., Bhavnagarwala A.J., Lombardo S./titolo:Analysis of the effect of the gate oxide breakdown on SRAM stability/doi:/rivista:Microelectronics and reliability/anno:2002/pagina_da:1445/pagina_a:1448/intervallo_pagine:1445–1448/volume:42
Scopus-Elsevier
We have investigated the effects of oxide soft breakdown (SBD) on the stability of CMOS 6T SRAM cells. Gate-to-diffusion leakage currents of 20-50 microA at the n-FET source can result in a 50% reduction of noise margin. Breakdown at other locations
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::879fa0fccdc34525d926e4b4655277e4
https://publications.cnr.it/doc/35269
https://publications.cnr.it/doc/35269
Publikováno v:
IEEE/ACM International Conference on Computer Aided Design, 2004. ICCAD-2004; 2004, p739-746, 8p
Publikováno v:
Proceedings 2003. Design Automation Conference (IEEE Cat. No.03CH37451); 2003, p696-701, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Northrop, G. A., Wolford, D. J.
Publikováno v:
Physics of Semiconductors - Proceedings of the 20th International Conference (In 3 Volumes); 1990, p577-580, 4p