Physical origins of current and temperature controlled negative differential resistances in NbO2

Autor: Kumar, S, Wang, Z, Davila, N, Kumari, N, Norris, KJ, Huang, X, Strachan, JP, Vine, D, Kilcoyne, ALD, Nishi, Y, Williams, RS

Publikováno v: Kumar, S; Wang, Z; Davila, N; Kumari, N; Norris, KJ; Huang, X; et al.(2017). Physical origins of current and temperature controlled negative differential resistances in NbO2. Nature Communications, 8(1). doi: 10.1038/s41467-017-00773-4. Lawrence Berkeley National Laboratory: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/6vk89059

© 2017 The Author(s). Negative differential resistance behavior in oxide memristors, especially those using NbO2, is gaining renewed interest because of its potential utility in neuromorphic computing. However, there has been a decade-long controver

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::c5ca0e3295b35ee7dccea5c511d8fd9c
http://www.escholarship.org/uc/item/6vk89059

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.