Zobrazeno 1 - 10
of 55
pro vyhledávání: '"Nordquist, K.J."'
Autor:
Dauksher, W.J., Le, N.V., Ainley, E.S., Nordquist, K.J., Gehoski, K.A., Young, S.R., Baker, J.H., Convey, D., Mangat, P.S.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2006 83(4):929-932
Modeling and simulation issues in Monte Carlo calculation of electron interaction with solid targets
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2003 69(2):594-605
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2002 61:343-349
Autor:
Bailey, T.C., Resnick, D.J. ∗, Mancini, D., Nordquist, K.J., Dauksher, W.J., Ainley, E., Talin, A., Gehoski, K., Baker, J.H., Choi, B.J., Johnson, S., Colburn, M., Meissl, M., Sreenivasan, S.V., Ekerdt, J.G., Willson, C.G.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2002 61:461-467
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; 1994, Vol. 15 Issue 10, p406-408, 3p
Autor:
Allen, S.T., Palmour, J.W., Tsvetkov, V.F., Macko, S.J., Carter, C.H., Weitzel, C.E., Moore, K.E., Nordquist, K.J., Pond, L.L.
Publikováno v:
1995 53rd Annual Device Research Conference Digest; 1995, p102-103, 2p
Publikováno v:
52nd Annual Device Research Conference; 1994, p27-28, 2p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.