Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Non-equilibrium carriers"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Радиофизика и электроника, Vol 22, Iss 4, Pp 49-54 (2017)
The purpose of this paper is an experimental investigation of the influence of properties of the silicon defect layer in a dielectric photonic crystal on the transmission peak spectral properties. The influence of the defect layer thickness on the de
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e352637225344fb89776f2653b6060be
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 11, Iss 4, p 1023 (2021)
An increase of integrated photoluminescence (PL) intensity has been observed in a GaN-based multiple quantum wells (MQWs) sample. The integrated intensity of TDPL spectra forms an anomalous variation: it decreases from 30 to 100 K, then increases abn
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ae055d18a8e948039c288bbff5a7dbd9
Autor:
Guarin Castro, Edgar David
Publikováno v:
Repositório Institucional da UFSCAR
Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)
instacron:UFSCAR
Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)
instacron:UFSCAR
Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) Semiconductor quantum tunneling heterostructures offer a wide range of applications as photosensors, lasers, and circuit elements. However, fundamental questions related to energ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::4e714fd4f10ab99bccade586071da4f0
https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/14972
https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/14972
Publikováno v:
Nanomaterials
Nanomaterials, Vol 11, Iss 1023, p 1023 (2021)
Volume 11
Issue 4
Nanomaterials, Vol 11, Iss 1023, p 1023 (2021)
Volume 11
Issue 4
An increase of integrated photoluminescence (PL) intensity has been observed in a GaN-based multiple quantum wells (MQWs) sample. The integrated intensity of TDPL spectra forms an anomalous variation: it decreases from 30 to 100 K, then increases abn
Publikováno v:
Радиофизика и электроника, Vol 22, Iss 4, Pp 49-54 (2017)
The purpose of this paper is an experimental investigation of the influence of properties of the silicon defect layer in a dielectric photonic crystal on the transmission peak spectral properties. The influence of the defect layer thickness on the de
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lucchini M, Buganov O, Auffray E, Bohacek P, Korjik M, Kozlov D, Nargelas S, Nikl M, Tikhomirov S, Tamulaitis G, Vaitkevicius A, Kamada K, Yoshikawa A
Non-linear absorption spectroscopy in pump and probe configuration has been used to test the population of non-equilibrium carriers in Ce-doped Y3Al5O12 (YAG), Lu3Al5O12 (LuAG), and Gd3AlxGa(5-x)O12 (GAGG) crystals with and without codoping by Mg2+ i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1299::a806c2bf82ae01dcff6bd571486725b3
http://hdl.handle.net/10281/318476
http://hdl.handle.net/10281/318476