Zobrazeno 1 - 10
of 522
pro vyhledávání: '"Noise parameters"'
Autor:
K.V. Frolov, L.M. Inakhodova
Publikováno v:
Измерение, мониторинг, управление, контроль, Iss 2 (2024)
Background. An important component of the viability of electrical equipment is the timely diagnosis of its main components, which allows to extend the service life and reduce the cost of its operation. Diagnostics of complete switchgear can be carr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c916b913fc75433bbb72864fd788b7e8
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 113-120 (2024)
In this paper, we propose an improved method for extracting the four noise parameters of InP HEMT devices based on a 50- $\Omega $ noise measurement system. The noise equivalent circuit and noise correlation matrix technique is combined with 50- $\Om
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7890ff518e3a4b1995e715862bf2eeb4
Autor:
Nicholas C. Miller, Andrea Arias-Purdue, Erdem Arkun, David Brown, James F. Buckwalter, Robert L. Coffie, Andrea Corrion, Daniel J. Denninghoff, Michael Elliott, Dave Fanning, Ryan Gilbert, Daniel S. Green, Florian Herrault, Ben Heying, Casey M. King, Eythan Lam, Jeong-Sun Moon, Petra V. Rowell, Georges Siddiqi, Ioulia Smorchkova, Joe Tai, Jansen Uyeda, Mike Wojtowicz
Publikováno v:
IEEE Journal of Microwaves, Vol 3, Iss 4, Pp 1134-1146 (2023)
This article presents a set of measured benchmarks for the noise and gain performance of six different millimeter-wave (mm-wave) gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) technologies fabricated at four different foundries in the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5804e21f09df408e99c176f577a6bee9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Yu. Bekkiev, V. A. Makoviy
Publikováno v:
Российский технологический журнал, Vol 7, Iss 3, Pp 28-40 (2019)
Modern radio communication means to provide safe data transmission due to adapting radio channel to the actual noise environment. It is impossible to conduct proper comparative tests on various radio stations offered by manufacturers and to compare o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dabd796da1f04c18af688f70ec7a8702
Publikováno v:
Dianzi Jishu Yingyong, Vol 44, Iss 8, Pp 31-34 (2018)
Based on the physical structure of 40 nm MOSFETs, this paper establishes a unified MOSFET millimeter-wave noise model to characterize the characteristics of drain-current noise, inducted gate-current noise and cross-correlation noise between them. By
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8ab6143fd91340dfa81e633a2b2b7fc7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Serbian Journal of Electrical Engineering, Vol 14, Iss 1, Pp 35-49 (2017)
This paper presents an analytical approach to determination of the noise wave model parameters for a high electron-mobility transistor working under different temperature and frequency conditions. The presented approach is composed of two steps an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6f050322876f4af183037428ba98b0ef