Zobrazeno 1 - 10
of 2 421
pro vyhledávání: '"Noise margin"'
Publikováno v:
Nuclear Engineering and Technology, Vol 56, Iss 8, Pp 2916-2922 (2024)
In memory semiconductors such as a static random access memory (SRAM), a common problem is soft errors under radiation environment. These soft errors cause bit flips, which are referred to as single event upsets (SEUs). Some radiation-hardened SRAM c
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/df52b849542f47ba986ec1191bca6be6
Publikováno v:
Discover Nano, Vol 19, Iss 1, Pp 1-13 (2024)
Abstract In this paper, we propose the use of punch-through nMOS (PTnMOS) as an alternative to pMOS in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuits. According to the TCAD simulation results, PTnMOS exhibit sub-threshold characteristics sim
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/655f6d38402049bc9b4163df7f0e27de
Publikováno v:
e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 7, Iss , Pp 100479- (2024)
Static random-access memory (SRAM) is the most prevalent type of memory used in current system-on-chips (SOC). SRAMs built using Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) transistors, suffer from low stability and significant power dissipation a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fddbbc22d2ca4966b6ae36ee9f96bb07
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Taniza Marium, S.M. Ishraqul Huq, Oli Lowna Baroi, Md. Shaikh Abrar Kabir, Satyendra N. Biswas
Publikováno v:
Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems, Vol 5, Iss , Pp 100077- (2023)
In terms of mechanical flexibility, organic SRAM offers better designs and a commercially feasible option with the ability to deliver acceptable performance. This paper investigates the implementation of different SRAM topologies based on organic thi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/024cc31bac2349168740258562c730df
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Circuit World, 2021, Vol. 48, Issue 3, pp. 322-332.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/CW-05-2020-0095
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 10553-10565 (2022)
Noise and variation are the two major challenges for the reliability of digital circuits, especially multiple-valued logic (MVL) circuits where the entire voltage range is divided into some narrow zones. In spite of few correct examples, many ternary
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/618361df009f44d0a887b1f3b59d0035
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.