Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"Noh Jiyong"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jin-Seong Park, Jeom-Jae Kim, Ju-Hwan Han, Woojin Jeon, Soo Young Yoon, Kwon-Shik Park, Noh Jiyong, Jaeman Jang, Wan-Ho Choi, Seok-Goo Jeong, KyoungRok Kim
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 68:6147-6153
Atomic layer deposition (ALD) has been studied extensively to employ oxide semiconductor thin film transistor (TFT) including both active layer and gate insulator (GI). Herein, we developed an ALD sandwich structure, which deposits both semiconductor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0e3e12dec16f1d6a0ec01225a244e04f
https://doi.org/10.1109/ted.2021.3117749
https://doi.org/10.1109/ted.2021.3117749
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kwon-Shik Park, In-Tak Cho, Sae-Young Hong, Hyuck-In Kwon, Sang-Hun Song, In Byeong Kang, Soo Young Yoon, Seok-Woo Lee, Pil Sang Yun, Noh Jiyong, Ha-Yun Jeong, Hee-Joong Kim, Dae-Hwan Kim
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 9, Iss 1, Pp 1-11 (2019)
Scientific Reports
Scientific Reports
We investigated the lateral distribution of the equilibrium carrier concentration (n0) along the channel and the effects of channel length (L) on the source-drain series resistance (Rext) in the top-gate self-aligned (TG-SA) coplanar structure amorph
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8f9bc4aac8eea92f469bac85ee8ea7aa
http://link.springer.com/article/10.1038/s41598-019-43186-7
http://link.springer.com/article/10.1038/s41598-019-43186-7
Autor:
Yang, Tae Jun, Kim, Je-Hyuk, Ryoo, Chang II, Myoung, Seung Joo, Kim, Changwook, Baeck, Ju Heyuck, Bae, Jong-Uk, Noh, Jiyong, Lee, Seok-Woo, Park, Kwon-Shik, Kim, Jeom-Jae, Yoon, Soo-Young, Kim, Yoon, Kim, Dae Hwan
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; January 2023, Vol. 70 Issue: 1 p121-126, 6p