Výsledky vyhledávání - "Noguchi, Mitsuhiro"

Akademický článek

Reduction in threshold voltage fluctuation in fully-depleted SOI MOSFETs with back gate control

Autor: Numata, Toshinori, Noguchi, Mitsuhiro, Takagi, Shin-ichi

Publikováno v: In Solid State Electronics 2004 48(6):979-984

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Saturation of electron phase breaking time in GaAs/AlGaAs quantum wires.

Autor: Noguchi, Mitsuhiro, Ikoma, Toshiaki, Odagiri, Takahide, Sakakibara, Hideki, Wang, Shi Nan

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/1/1996, Vol. 80 Issue 9, p5138, 7p, 1 Chart, 7 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Periodical

(Invited) Tunneling FET Technologies Using III-V and Ge Materials

Autor: Takagi, Shinichi, Kim, Minsoo, Noguchi, Mitsuhiro, Nishi, Koichi, Takenaka, Mitsuru

Publikováno v: ECS Transactions; September 2015, Vol. 69 Issue: 10

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

Collimation of Two-Dimensional Ballistic Electrons Using Equivalent Snell's Law

Autor: Noguchi, Mitsuhiro, Hideki Sakakibara, Hideki Sakakibara, Toshiaki Ikoma, Toshiaki Ikoma

Publikováno v: Japanese Journal of Applied Physics; November 1993, Vol. 32 Issue: 11 p5014-5014, 1p

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

Direct Determination of Bare Confinement Potentials in AlGaAs/GaAs Split-Gate Quantum Wires by Far-Infrared Spectroscopy

Autor: Wang, Shinan, Yamanaka, Koji, Hirakawa, Kazuhiko, Noguchi, Mitsuhiro, Ikoma, Toshiaki

Publikováno v: Japanese Journal of Applied Physics; October 1996, Vol. 35 Issue: 10 pL1249-L1249, 1p

Zobrazit plný text záznamu