Zobrazeno 1 - 10
of 889
pro vyhledávání: '"Nogales, E"'
Autor:
Barbosa, M. B., Correia, J. G., Lorenz, K., Fenta, A. S., Schell, J., Teixeira, R., Nogales, E., Méndez, B., Stroppa, A., Araújo, J. P.
Finding suitable p-type dopants, as well as reliable doping and characterization methods for the emerging wide bandgap semiconductor $\beta$-$Ga_2O_3$ could strongly influence and contribute to the development of the next generation of power electron
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1908.09569
Publikováno v:
In Journal of Luminescence November 2017 191 Part A:56-60
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rodrigues, J., Miranda, S.M.C., Peres, M., Nogales, E., Alves, L.C., Alves, E., Tourbot, G., Daudin, B., Méndez, B., Lorenz, K., Monteiro, T.
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 1 July 2013 306:201-206
Autor:
Lorenz, K., Nogales, E., Miranda, S.M.C., Franco, N., Méndez, B., Alves, E., Tourbot, G., Daudin, B.
Publikováno v:
In Acta Materialia May 2013 61(9):3278-3284
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Superlattices and Microstructures 2009 45(4):156-160
Autor:
Roqan, I.S., Nogales, E., O’Donnell, K.P., Trager-Cowan, C., Martin, R.W., Halambalakis, G., Briot, O.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2008 310(18):4069-4072
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.