Zobrazeno 1 - 10
of 59
pro vyhledávání: '"Nodin, J.F."'
Autor:
Betti Beneventi, G., Perniola, L., Sousa, V., Gourvest, E., Maitrejean, S., Bastien, J.C., Bastard, A., Hyot, B., Fargeix, A., Jahan, C., Nodin, J.F., Persico, A., Fantini, A., Blachier, D., Toffoli, A., Loubriat, S., Roule, A., Lhostis, S., Feldis, H., Reimbold, G., Billon, T., De Salvo, B., Larcher, L., Pavan, P., Bensahel, D., Mazoyer, P., Annunziata, R., Zuliani, P., Boulanger, F.
Publikováno v:
In Solid State Electronics November-December 2011 65-66:197-204
Autor:
Cueto, O., Jahan, C., Sousa, V., Nodin, J.F., Syoud, S., Perniola, L., Fantini, A., Maitrejean, S., Toffoli, A., de Salvo, B., Boulanger, F.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2011 88(5):827-832
Autor:
Jousseaume, V., Fantini, A., Nodin, J.F., Guedj, C., Persico, A., Buckley, J., Tirano, S., Lorenzi, P., Vignon, R., Feldis, H., Minoret, S., Grampeix, H., Roule, A., Favier, S., Martinez, E., Calka, P., Rochat, N., Auvert, G., Barnes, J.P., Gonon, P., Vallée, C., Perniola, L., De Salvo, B.
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2011 58(1):62-67
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cabout, T., Perniola, L., Jousseaume, V., Grampeix, H., Nodin, J.F., Toffoli, A., Guillermet, M., Jalaguier, E., Vianello, E., Molas, G., Reimbold, G., de Salvo, B., Diokh, T., Candelier, P., Pirrotta, O., Padovani, A., Larcher, L., Bocquet, Marc, Muller, Christophe
Publikováno v:
2013 5th IEEE International Memory Workshop (IMW)
2013 5th IEEE International Memory Workshop (IMW), May 2013, Monterey, United States. ⟨10.1109/IMW.2013.6582112⟩
2013 5th IEEE International Memory Workshop (IMW), May 2013, Monterey, United States. ⟨10.1109/IMW.2013.6582112⟩
International audience; This paper provides an overview of the temperature impact (up to 200 °C) on the electrical behavior of oxide-based RRAM, during forming, low-field resistance reading, SET/RESET, disturb, data retention and endurance. HfO 2-RR
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::4395bc1afea1a23978b273d30055b0a5
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01738426/file/Caout.2013.IMW.Temperature_impact_on_performance_and_reliability_of_HfO2_based_RRAMs.pdf
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01738426/file/Caout.2013.IMW.Temperature_impact_on_performance_and_reliability_of_HfO2_based_RRAMs.pdf
Autor:
Sousa, V., Perniola, L., Navarro, G., Pashkov, N., Suri, M., Henaff, E., Persico, A., Fillot, F., Pierre, F., Roule, A., Maitrejean, S., Michallon, P., Vallée, Corentin, Feldis, H., Jahan, C., Nodin, J.F., Toffoli, A., Blachier, D., Bastard, A., Bastien, J.C., Hyot, B., André, B., Reimbold, G., Zuliani, P., Annunziata, R., de Salvo, B.
Publikováno v:
2011 SIMIT, 11th Non-volatile memory technology symposium
2011 SIMIT, 11th Non-volatile memory technology symposium, Nov 2011, Shangai, China
2011 SIMIT, 11th Non-volatile memory technology symposium, Nov 2011, Shangai, China
International audience
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9be9614255cbd9c70643304f723f7e85
https://hal.science/hal-00669545
https://hal.science/hal-00669545
Autor:
Jousseaume, V., Guedj, C., Nodin, J.F., Persico, A., Feldis, H., Minoret, S., Roule, A., Grampeix, H., Zenasni, A., Fantini, A., Perniola, L., Gonon, P., Vallee, C., Auvert, G., Barnes, J.P., Martinez, E., Calka, Pierre, Favier, S., Buckley, J., de Salvo, B.
Publikováno v:
2010 MRS Spring Meeting
2010 MRS Spring Meeting, 2010, San Francisco (USA), United States
2010 MRS Spring Meeting, 2010, San Francisco (USA), United States
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::d5797cc81f66a8206b20a9174fd50960
https://hal.science/hal-00625271
https://hal.science/hal-00625271
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cabout, T., Perniola, L., Jousseaume, V., Grampeix, H., Nodin, J.F., Toffoli, A., Guillermet, M., Jalaguier, E., Vianello, E., Molas, G., Reimbold, G., De Salvo, B., Diokh, T., Candelier, P., Pirrotta, O., Padovani, A., Larcher, L., Bocquet, M., Muller, C.
Publikováno v:
2013 5th IEEE International Memory Workshop; 2013, p116-119, 4p