Zobrazeno 1 - 10
of 57
pro vyhledávání: '"Nodin, J. F."'
By imitating the synaptic connectivity and plasticity of the brain, emerging electronic nanodevices offer new opportunities as the building blocks of neuromorphic systems. One challenge for largescale simulations of computational architectures based
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2205.05053
Autor:
Esmanhotto, E., Hirtzlin, T., Castellani, N., Martin, S., Giraud, B., Andrieu, F., Nodin, J. F., Querlioz, D., Portal, J-M., Vianello, E.
Crossbar arrays of resistive memories (RRAM) hold the promise of enabling In-Memory Computing (IMC), but essential challenges due to the impact of device imperfection and device endurance have yet to be overcome. In this work, we demonstrate experime
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2203.01680
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cabout, T., Buckley, J., Cagli, C., Jousseaume, V., Nodin, J.-F., de Salvo, B., Bocquet, M., Muller, Ch.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 30 April 2013 533:19-23
Autor:
Noel, J-P., Nodin, J -F., Ly, D., Noel, J-P, Giraud, B., Royer, P., Esmanhotto, E., Castellani, N., Dalgaty, T., Nodin, J-F, Fenouillet-Beranger, C., Nowak, E., Vianello, E.
Publikováno v:
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2019, San Francisco, France. pp.35.5.1-35.5.4, ⟨10.1109/IEDM19573.2019.8993621⟩
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2019, San Francisco, France. pp.35.5.1-35.5.4, ⟨10.1109/IEDM19573.2019.8993621⟩
International audience; Resistive Random Access Memories (RRAMs) are a promising solution to implement Ternary Content Addressable Memories (TCAMs) that are more area-and energy-efficient with respect to Static Random Access Memory (SRAM)-based TCAMs
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::613573364f666988b7d7b8306ffc8dd0
https://hal.science/hal-02939338/document
https://hal.science/hal-02939338/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cabout, T., Perniola, L., Jousseaume, V., Grampeix, H., Nodin, J. F., Toffoli, A., Jalaguier, E., Vianello, E., Molas, G., Reimbold, G., De Salvo, B., Pirrotta, Onofrio, Padovani, Andrea, Larcher, Luca, Diokh, T., Candelier, P., Guillermet, M., Bocquet, M., Muller, C.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3674::f0160b986ab3511ef57a3fde27d1f3d6
https://hdl.handle.net/11380/924093
https://hdl.handle.net/11380/924093
Autor:
Cagli, C., Buckley, J., Jousseaume, V., Cabout, T., Salaun, A., Grampeix, H., Nodin, J. F., Feldis, H., Persico, A., Cluzel, J., Lorenzi, Paolo, Massari, L., Rao, Rosario, Irrera, Fernanda, Aussenac, F., Carabasse, C., Coue, M., Calka, P., Martinez, E., Perniola, L., Blaise, P., Fang, Z., Y. H., Yu, Ghibaudo, G., Deleruyelle, D., Bocquet, M., Muller, C., Padovani, A., Pirrotta, O., Vandelli, L., Larcher, L., Reimbold, G., De Salvo, B.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::056d1b413a4e362e5385f9734eceee58
https://hdl.handle.net/11380/703862
https://hdl.handle.net/11380/703862