Zobrazeno 1 - 10
of 61
pro vyhledávání: '"Nodin, J."'
By imitating the synaptic connectivity and plasticity of the brain, emerging electronic nanodevices offer new opportunities as the building blocks of neuromorphic systems. One challenge for largescale simulations of computational architectures based
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2205.05053
Autor:
Esmanhotto, E., Hirtzlin, T., Castellani, N., Martin, S., Giraud, B., Andrieu, F., Nodin, J. F., Querlioz, D., Portal, J-M., Vianello, E.
Crossbar arrays of resistive memories (RRAM) hold the promise of enabling In-Memory Computing (IMC), but essential challenges due to the impact of device imperfection and device endurance have yet to be overcome. In this work, we demonstrate experime
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2203.01680
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Cabout, T., Buckley, J., Cagli, C., Jousseaume, V., Nodin, J.-F., de Salvo, B., Bocquet, M., Muller, Ch.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 30 April 2013 533:19-23
Autor:
Molas, G., Piccolboni, G., Bricalli, A., Verdy, A., Naot, I., Cohen, Y., Regev, A., Naveh, I., Deleruyelle, D., Rafhay, Q., Castellani, N., Reganaz, L., Persico, A., Segaud, R., Nodin, J., Meli, V., Martin, S., Andrieu, F., Grenouillet, L.
Publikováno v:
2022 IEEE International Memory Workshop (IMW)
2022 IEEE International Memory Workshop (IMW), May 2022, Dresden, France. pp.1-4, ⟨10.1109/IMW52921.2022.9779293⟩
2022 IEEE International Memory Workshop (IMW), May 2022, Dresden, France. pp.1-4, ⟨10.1109/IMW52921.2022.9779293⟩
International audience
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9592fae9b199094aab679e5379ee189a
https://hal.science/hal-03840618
https://hal.science/hal-03840618
Autor:
Noel, J-P., Nodin, J -F., Ly, D., Noel, J-P, Giraud, B., Royer, P., Esmanhotto, E., Castellani, N., Dalgaty, T., Nodin, J-F, Fenouillet-Beranger, C., Nowak, E., Vianello, E.
Publikováno v:
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2019, San Francisco, France. pp.35.5.1-35.5.4, ⟨10.1109/IEDM19573.2019.8993621⟩
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2019, San Francisco, France. pp.35.5.1-35.5.4, ⟨10.1109/IEDM19573.2019.8993621⟩
International audience; Resistive Random Access Memories (RRAMs) are a promising solution to implement Ternary Content Addressable Memories (TCAMs) that are more area-and energy-efficient with respect to Static Random Access Memory (SRAM)-based TCAMs
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::613573364f666988b7d7b8306ffc8dd0
https://hal.science/hal-02939338/document
https://hal.science/hal-02939338/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Piccolboni, G., Molas, G., Carabasse, C., Nodin, J., Pellissier, C., Brianceau, P., Vianello, E., Pollet, O., Perrin, F., Cluzel, J., Toffoli, A., Aussenac, F., Delaye, V., Ghibaudo, G., de Salvo, B., Perniola, L.
Publikováno v:
2014 NVMTS Proceedings
2014 14th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS)
2014 14th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), Oct 2014, Jeju Island, South Korea. pp.134-138, ⟨10.1109/NVMTS.2014.7060867⟩
2014 14th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS)
2014 14th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), Oct 2014, Jeju Island, South Korea. pp.134-138, ⟨10.1109/NVMTS.2014.7060867⟩
International audience; An easy-to-fabricate, low-cost, sidewall TiN/HfO 2 /Ti vertical resistive RAM (VRRAM) device is proposed. Devices with bottom electrode thickness down to 10nm were fabricated and characterized. Forming, SET and RESET voltages
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::32781c92784786132c5310cc6d933d75
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02049437
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02049437