Zobrazeno 1 - 10
of 92
pro vyhledávání: '"Noborio, M."'
Reliability of nitrided gate oxides for N- and P-type 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor devices
In this paper, we have investigated reliability of n- and p-type 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor (MOS) devices with N2O-grown oxides and deposited oxides annealed in N2O. From the results of time-dependent dielectric breakdown (TDDB) tests, it
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::32903ec4fcf1da139dce8312588f64e3
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/226665
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/226665
Publikováno v:
2008 20th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's; 2008, p263-266, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2006 IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's; 2006, p1-4, 4p
Publikováno v:
MRS Online Proceedings Library; 2004, Vol. 815 Issue 1, p264-269, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.