Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"Niu, Shiqin"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the Institution of Mechanical Engineers, Part D: Journal of Automobile Engineering (Sage Publications, Ltd.); Jul2022, Vol. 236 Issue 8, p1840-1848, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Molecular Neuroscience; Dec2020, Vol. 70 Issue 12, p1977-1986, 10p
Autor:
Niu, Shiqin
La thèse intitulée "Conception, caractérisation et optimisation d’un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium (SiC) et de leur diode associée", s’est déroulée au sein du laboratoire AMPERE sous la direction du Prof.
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2016LYSEI136/document
Autor:
Niu, Shiqin
Publikováno v:
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. 〈NNT : 2016LYSEI136〉
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEI136⟩
Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEI136⟩
Silicon carbide (SiC) has higher critical electric field for breakdown and lower intrinsic carrier concentration than silicon, which are very attractive for high power and high temperature power electric applications. In this thesis, a new 3.3kV/20A
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::1ebdb0a0ccfb0c00485189212d764594
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01784870/file/these.pdf
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01784870/file/these.pdf
Autor:
Zekentes, Konstantinos, Stavrinidis, Antonis, Konstantinidis, George, Kayambaki, Maria, Vamvoukakis, Konstantinos, Vassakis, Emmanouil, Vassilevski, Konstantin, Horsfall, Alton, Wright, Nick, Brosselard, Pierre, Niu, Shiqin, Lazar, Mihai, Planson, Dominique, Tournier, Dominique, Camara, Nicolas
Publikováno v:
Proceedings of the 2014 European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
ECSCRM'14
ECSCRM'14, Sep 2014, Grenoble, France. pp.WE-P-75
ECSCRM'14
ECSCRM'14, Sep 2014, Grenoble, France. pp.WE-P-75
International audience; Trenched-implanted-gate 4H–SiC vertical-channel JFET (TI-VJFET) have been fabricated with self-aligned nickel silicide source and gate contacts using a process sequence that greatly reduces process complexity as it includes
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bd394ca9a036b7cb311d3a5a41b32436
https://hal.science/hal-02133681
https://hal.science/hal-02133681