Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Niu, Dongwei"'
Publikováno v:
In Quaternary International 2 May 2016 400:111-119
Publikováno v:
In Quaternary International 2 May 2016 400:100-110
Autor:
Zhang, Yue, Gao, Xing, Pei, Shuwen, Chen, Fuyou, Niu, Dongwei, Xu, Xin, Zhang, Shuangquan, Wang, Huimin
Publikováno v:
In Quaternary International 2 May 2016 400:149-157
Autor:
Pei, Shuwen, Niu, Dongwei, Guan, Ying, Nian, Xiaomei, Yi, Mingjie, Ma, Ning, Li, Xiaoli, Sahnouni, Mohamed
Publikováno v:
In Journal of Archaeological Science January 2015 53:391-407
Autor:
Pei, Shuwen, Niu, Dongwei, Guan, Ying, Nian, Xiaomei, Kuman, Kathleen, Bae, Christopher J., Gao, Xing
Publikováno v:
In Quaternary International 9 October 2014 347:122-132
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 28:5512-5517
Highly c-axis-oriented (002) of ScxAl1−xN thin films with high Sc concentration (x) have drawn a significant attention in the bulk acoustic wave (BAW) and surface acoustic wave (SAW) resonators because of their excellent piezoelectric performance.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a49afa2f343c660c842e5dc935fb471f
https://doi.org/10.1007/s10854-016-6213-7
https://doi.org/10.1007/s10854-016-6213-7
Publikováno v:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 27:4788-4793
Sc doped AlN films were deposited by dc reactive magnetron sputtering on (100) p-type silicon substrates mixed with Ar–N2 gas atmosphere. It is appropriate for a wide variety of applications for the excellent piezoelectric properties, which closely
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::289d1aefdceae41afef0aceeebb74fe9
https://doi.org/10.1007/s10854-016-4359-y
https://doi.org/10.1007/s10854-016-4359-y
Publikováno v:
Materials Letters. 183:429-431
The aluminum nitride (AlN) piezoelectric thin films doped 13% Sc atoms were deposited on (100) p-type silicon by reactive magnetron sputtering. Scandium (Sc) doping of AlN enhanced piezoelectric response drastically compared with non-doped AlN. The e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2a09244388e72dad5a4abf01277455f1
https://doi.org/10.1016/j.matlet.2016.07.156
https://doi.org/10.1016/j.matlet.2016.07.156
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.