Zobrazeno 1 - 10
of 789
pro vyhledávání: '"Nitzan M"'
Publikováno v:
Medical Devices: Evidence and Research, Vol Volume 10, Pp 157-163 (2017)
Meir Nitzan,1 Itzchak Slotki,2 Linda Shavit2 1Department of Applied Physics/Electro-Optics, Jerusalem College of Technology, 2Department of Nephrology, Shaare Zedek Medical Center, Jerusalem, Israel Abstract: The commonly used techniques for systolic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5b8f7ced36cb41e9930c50fbbb27e5d2
Publikováno v:
Medical Devices: Evidence and Research, Vol 2014, Iss default, Pp 231-239 (2014)
Meir Nitzan,1 Ayal Romem,2 Robert Koppel31Department of Physics/Electro-Optics, Jerusalem College of Technology, Jerusalem, Israel; 2Pulmonary Institute, Shaare Zedek Medical Center, Jerusalem, Israel; 3Neonatal/Perinatal Medicine, Cohen Children's M
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0eb0cb26e0a94c36b003924bec1dc840
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Daniel Shtuckmeyster, Nitzan Maman, Moshe Vaknin, Gabriel Zamir, Victor Y. Zenou, Ulrich Kentsch, Itzchak Dahan, Roni Z. Shneck
Publikováno v:
Metals, Vol 14, Iss 3, p 260 (2024)
The factors that influence the formation of helium blisters in copper were studied, including crystallographic grain orientation and thermomechanical conditions. Helium implantation experiments were conducted at 40 KeV with a dose of 5 × 1017 ions/c
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5395760ad1764621ac7e94b79f27e4d1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.