Zobrazeno 1 - 10
of 1 182
pro vyhledávání: '"Nitride Semiconductors"'
Autor:
Bruno Martins, Carlos Patacas, Albano Cavaleiro, Pedro Faia, Fátima Zorro, Enrique Carbo-Argibay, Paulo J. Ferreira, Filipe Fernandes
Publikováno v:
Journal of Science: Advanced Materials and Devices, Vol 9, Iss 2, Pp 100716- (2024)
This study investigates an approach to temperature sensing by integrating Titanium Aluminum Nitride (TiAlN), originally engineered for wear and corrosion applications, as a temperature sensor within a multilayered thin film system. A nitride multilay
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d230912245134b0ca52bc014d6c1c5d3
Autor:
Bruno Martins, Carlos Patacas, Albano Cavaleiro, Pedro Faia, Oleksandr Bondarchuk, Filipe Fernandes
Publikováno v:
Journal of Science: Advanced Materials and Devices, Vol 9, Iss 2, Pp 100676- (2024)
The electrical characteristics and conduction mechanisms of ZrAlN thin films for their potential use as thermistor sensors were assessed. Various compositions of Zr1-xAlxN were synthesized by sputtering and studied up to 200 °C to understand their s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/887a93d68d684435be486d1f0b51c1cb
Autor:
Piotr Jaroszynski, Michal Dabrowski, Petro Sadovy, Michal Bockowski, Robert Czernecki, Tomasz Sochacki
Publikováno v:
Materials, Vol 17, Iss 14, p 3446 (2024)
The focus of this study was the investigation of how the total pressure of reactants and ammonia flow rate influence the growth morphology of aluminum–gallium nitride layers crystallized by Halide Vapor Phase Epitaxy. It was established how these t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/864495dd1eaf4461b6520880963832d5
Publikováno v:
BIO Web of Conferences, Vol 129, p 24001 (2024)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/43cdba226ce549268fd337220b99f072
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Grzegorz Staszczak, Iza Gorczyca, Ewa Grzanka, Julita Smalc-Koziorowska, Grzegorz Targowski, Tadeusz Suski
Publikováno v:
Materials, Vol 16, Iss 23, p 7386 (2023)
In order to shift the light emission of nitride quantum structures towards the red color, the technological problem of low In incorporation in InGaN−based heterostructures has to be solved. To overcome this problem, we consider superlattices grown
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f0ca7b6ac5a44f578e11536dda5151e0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.