Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"Nishii, Katsunori"'
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 8/1/1987, Vol. 62 Issue 3, p1102, 6p
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 62:1102-1107
A new rapid thermal annealing (RTA) method that uses GaAs guard rings has been developed. A new temperature monitoring method is also described. Generations of slip lines on 2‐in.‐diam GaAs wafers annealed in different kinds of RTA arrangements w
Autor:
Anda, Yoshiharu, Matsuno, Toshinobu, Tanabe, Mitsuru, Uda, Tomoya, Yanagihara, Manabu, Nishii, Katsunori, Inoue, Kaoru, Hirose, Nobumitsu, Matsui, Toshiaki
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1999, Vol. 17 Issue 2, p320-322, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nishii, Katsunori, Nishitsuji, Mitsuru, Yokoyama, Takahiro, Yamamoto, Shinji, Tamura, Akiyoshi, Inoue, Kaoru
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics; April 1999, Vol. 38 Issue: 4 p2555-2555, 1p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.