Zobrazeno 1 - 10
of 79
pro vyhledávání: '"Ning Puqi"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Li, Shani, Xu, Yanan, Zhang, Xudong, Guo, Yang, Ma, Yibo, Sun, Xianzhong, Zhang, Xiong, Ning, Puqi, Wang, Kai, Ma, Yanwei
Publikováno v:
Advanced Functional Materials; Jun2024, Vol. 34 Issue 24, p1-11, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Chinese Journal of Electrical Engineering. 6:1-7
A junction temperature monitoring method has been presented based on the on-state voltage at high currents. With a simplified physical model, this method mapped the relationship between junction temperature and on-state voltage. The tough calibration
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8cd4f99a5c0f22238e1afe2db24da7fa
https://doi.org/10.23919/cjee.2020.000014
https://doi.org/10.23919/cjee.2020.000014
Publikováno v:
World Electric Vehicle Journal
Volume 12
Issue 4
World Electric Vehicle Journal, Vol 12, Iss 186, p 186 (2021)
Volume 12
Issue 4
World Electric Vehicle Journal, Vol 12, Iss 186, p 186 (2021)
At present, the DC busbar design is one of the bottlenecks restricting the improvement of the power density of motor drives. Therefore, this paper proposes a three-dimensional line probe algorithm, which can realize the automatic routing of laminated
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9f3ceb36ce427e827507668d9711ddfe
Autor:
Ning, Puqi
In recent years, the SiC power semiconductor has emerged as an attractive alternative that pushes the limitations of junction temperature, power rating, and switching frequency of Si devices. These advanced properties will lead converters to higher p
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10919/27766
http://scholar.lib.vt.edu/theses/available/etd-05172010-170211/
http://scholar.lib.vt.edu/theses/available/etd-05172010-170211/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.