Zobrazeno 1 - 10
of 103
pro vyhledávání: '"Nikitenko, V. R."'
The hopping transport of charge carries in 3-dimensional disordered semiconductors is analyzed in this work. It is assumed that the density of localized states is a decreasing function of energy and contribution of thermoactivated jumps into the tran
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0207091
Autor:
null Samokhvalov P. S., null Nabiev I. R., null Nikitenko V. R., null Lypenko D. A., null Alexandrov A. E., null Tkach A. A., null Saunina A. Yu.
The results of studies of the influence of the thicknesses of the electron-blocking, hole-conducting and recombination layers on the luminance-voltage and other electrophysical characteristics of a multilayer light-emitting diode with an active layer
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::226cd8a26ccf8a93e3e2c52ede397efe
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03783954
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03783954
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 49:1
A Monte Carlo simulation of the charge carrier mobility in a polymer layer with a thickness of about 100 nm, containing both nanosized crystallites and disordered (amorphous) regions, has been carried out. The mobility has a maximum at a certain ener
Autor:
Kistanov, A. A. (Andrey A.), Shcherbinin, S. A. (Stepan A.), Ustiuzhanina, S. V. (Svetlana V.), Huttula, M. (Marko), Cao, W. (Wei), Nikitenko, V. R. (Vladimir R.), Prezhdo, O. V. (Oleg V.)
The existence of two novel hybrid two-dimensional (2D) monolayers, 2D B₃C₂P₃ and 2D B₂C₄P₂, has been predicted based on the density functional theory calculations. It has been shown that these materials possess structural and thermodynami
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2423::ab39f81e0499b52eac337cbf14e5ca0d
http://urn.fi/urn:nbn:fi-fe202104099804
http://urn.fi/urn:nbn:fi-fe202104099804
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nikitenko, V. R., Strikhanov, M. N.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 115 Issue 7, p1-9, 9p, 1 Chart, 7 Graphs
Publikováno v:
Semiconductors. Jul2010, Vol. 44 Issue 7, p912-918. 7p. 2 Charts, 6 Graphs.