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Autor:
Nifa, Iliass
Le travail de thèse effectué porte sur la caractérisation électrique et la modélisation du gaz d’électrons à deux dimensions (2D) dans les dispositifs MOS-HEMT à base de l’hétérojonction AlGaN/AlN/GaN. Ces dispositifs ont un fort potent
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018GREAT015/document
Autor:
Nifa, Iliass, Leroux, Charles, Torres, Alphonse, Charles, Matthew, Blachier, Denis, Reimbold, Gilles, Ghibaudo, Gérard, Bano, Edwige
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 25 June 2017 178:128-131
Autor:
Nifa, Iliass
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2018. Français. ⟨NNT : 2018GREAT015⟩
This thesis aims at studying the electrical characterization and modelling of two-dimensional (2D) electron gas in MOS-HEMT devices based on the hetero-junction AlGaN/AlN/GaN. These devices are very promising candidates for power electronics applicat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bda681a22722ef49a0d824b56940ee69
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01866731
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01866731