Zobrazeno 1 - 10 of 24 pro vyhledávání: '"Nicollian, Paul E."'
2
Akademický článek
Insights on trap generation and breakdown in ultra thin SiO 2 and SiON dielectrics from low voltage stress-induced leakage current measurements
Autor: Nicollian, Paul E. ⁎
Publikováno v: In Microelectronics Reliability 2008 48(8):1171-1177
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Two-trap model for low voltage stress-induced leakage current in ultrathin SiON dielectrics.
Autor: Nicollian, Paul E., Krishnan, Anand T., Reddy, Vijay K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep2008, Vol. 104 Issue 5, p053718, 9p, 6 Diagrams, 1 Chart, 10 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Insights on trap generation and breakdown in ultra thin SiO2 and SiON dielectrics from low voltage stress-induced leakage current measurements
Autor: Nicollian, Paul E.1 nicollian@ti.com
Publikováno v: Microelectronics Reliability. Aug2008, Vol. 48 Issue 8/9, p1171-1177. 7p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Conference
Positive bias temperature instability induced positive charge generation in P+ Poly/SiON pMOSFET's.
Autor: Hokyung Park, Nicollian, Paul E., Reddy, Vijay
Publikováno v: 2012 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS); 1/ 1/2012, pXT-XT.9.4, 0p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje