Zobrazeno 1 - 10 of 29 pro vyhledávání: '"Nicollian, E. H."'
1
Akademický článek
Investigation of heterojunctions for MIS devices with oxygen-doped AlxGa1-xAs on n-type GaAs.
Autor: Casey, H. C., Cho, A. Y., Lang, D. V., Nicollian, E. H., Foy, P. W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1979, Vol. 50 Issue 5, p3484-3491, 8p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Mechanism of negative-bias-temperature instability.
Autor: Blat, C. E., Nicollian, E. H., Poindexter, E. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1991, Vol. 69 Issue 3, p1712, 9p, 2 Charts, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Low-temperature annealing of As-implanted Ge.
Autor: Hattangady, S. V., Fountain, G. G., Nicollian, E. H., Markunas, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/1/1988, Vol. 63 Issue 1, p68, 7p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Electrochemical Charging of Thermal SiO2 Films by Injected Electron Currents.
Autor: Nicollian, E. H., Berglund, C. N., Schmidt, P. F., Andrews, J. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Dec1971, Vol. 42 Issue 13, p5654-5664, 11p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Avalanche Injection of Electrons into Insulating SiO2 Using MOS Structures.
Autor: Nicollian, E. H., Berglund, C. N.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jun1970, Vol. 41 Issue 7, p3052-3057, 6p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
MOS Avalanche and Tunneling Effects in Silicon Surfaces.
Autor: Goetzberger, A., Nicollian, E. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1967, Vol. 38 Issue 12, p4582-4588, 7p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
AVALANCHE INJECTION CURRENTS AND CHARGING PHENOMENA IN THERMAL SiO2.
Autor: Nicollian, E. H., Goetzberger, A., Berglund, C. N.
Publikováno v: Applied Physics Letters; Sep1969, Vol. 15 Issue 6, p174-177, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
MOS CONDUCTANCE TECHNIQUE FOR MEASURING SURFACE STATE PARAMETERS.
Autor: Nicollian, E. H., Goetzberger, A.
Publikováno v: Applied Physics Letters; Oct1965, Vol. 7 Issue 8, p216-219, 4p
Zobrazit plný text záznamu
9
Periodical
Investigation of heterojunctions for MIS devices with oxygen‐doped AlxGa1−xAs on n‐type GaAs
Autor: Casey, H. C., Cho, A. Y., Lang, D. V., Nicollian, E. H., Foy, P. W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May 1979, Vol. 50 Issue: 5 p3484-3491, 8p
Zobrazit plný text záznamu
10
Periodical
Avalanche Injection of Electrons into Insulating SiO2Using MOS Structures
Autor: Nicollian, E. H., Berglund, C. N.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; June 1970, Vol. 41 Issue: 7 p3052-3057, 6p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje