Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Nicolay P. Baran"'
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
The low temperature photoluminescence technique applied together with Hall and ESR methods elucidated the variation of boron doping impurity behavior in Si:B under thermal annealing at 450 degree(s)C. It is shown that boron impurity p-Si is involved
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.