Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"Nichols, Kirby"'
0.2-mu m AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistors With Atomic Layer Deposition Al2O3 Passivation
Autor:
Xu, Dong, Chu, Kanin, Diaz, Jose, Zhu, Wenhua, Roy, Richard, Pleasant, Louis Mt., Nichols, Kirby, Chao, Pane-Chane, Xu, Xianfan, Ye, Peide D.
Publikováno v:
Birck and NCN Publications
We report a successful application of atomic layer deposition (ALD) aluminum oxide as a passivation layer to gallium nitride high electron-mobility transistors (HEMTs). This new passivation process results in 8%-10% higher dc maximum drain current an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______540::15c83f9479b4647a884b108c1a5c9b70
http://docs.lib.purdue.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=2408&context=nanopub
http://docs.lib.purdue.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=2408&context=nanopub
Autor:
Li, Jianmeng, Liu, Hui C., Brown, Elliott R., McIntosh, K. A., Nichols, Kirby B., Manfra, M. J.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov1996, Issue 1, p196-205, 10p
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; 11/ 1/1994, Issue 1, p200-208, 9p
Autor:
Aull, Brian F., Brown, Elliott R., Maki, Paul A., Nichols, Kirby B., Palmateer, Susan C., Lind, Thomas A.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov1993, Issue 1, p388-393, 6p
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov1992, Issue 1, p260-270, 11p
Publikováno v:
Optical Engineering; May1991, Vol. 30 Issue 5, p511-516, 6p
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 4/16/2001, Vol. 78 Issue 16, p2345, 3p, 2 Diagrams, 1 Chart
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.