Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Nicholas Dickson"'
Autor:
Stefan Kouba, Nicholas Dickson
Publikováno v:
ATZelektronik. 10:16-25
Die Vielfalt von Fahrzeugfunktionen drueckt sich nicht nur in der Komplexitaet im Bordnetz, sondern auch in der Komplexitaet ihrer Bedienung aus. Deswegen zaehlen Techniken, die den Fahrer maximal beim Fuehren des Fahrzeugs unterstuetzen und damit mi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2ab7a2260a7c321cbbf383d533c76d6f
https://doi.org/10.1007/s35658-015-0608-8
https://doi.org/10.1007/s35658-015-0608-8
Autor:
Nicholas Dickson, Stefan Kouba
Publikováno v:
ATZelektronik worldwide. 10:4-9
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4c695e653361e18713fc1f05d71657ee
https://doi.org/10.1007/s38314-015-0556-3
https://doi.org/10.1007/s38314-015-0556-3
Autor:
Nicholas Dickson, Terry C. Garyet
Publikováno v:
Quality and Reliability Engineering International. 12:235-240
Failure mechanisms in highly integrated designs are becoming more subtle, making them difficult to locate and understand. Successful analysis requires the precise location of the anomaly in three dimensions, prior to physical analysis, when strip and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1b342e296b48da82fffaa9db9c729220
https://doi.org/10.1002/(sici)1099-1638(199607)12:4<235::aid-qre40>3.0.co
https://doi.org/10.1002/(sici)1099-1638(199607)12:4<235::aid-qre40>3.0.co
Autor:
Nicholas Dickson, James A. Slinkman, Stephen S. Furkay, Vaughn P. Gross, Steven H. Voldman, Gianfranco Gerosa
Publikováno v:
Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings.
A novel snubber-clamped diode-string ESD protection circuit for mixed voltage interface microprocessor applications is described. Analytical models, circuit simulation, electrical characterization, ESD electrothermal simulation, ESD test data, and an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a7c497164eb8d341c3647acd6f68bf6b
https://doi.org/10.1109/eosesd.1995.478267
https://doi.org/10.1109/eosesd.1995.478267
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
As minimum feature sizes are reduced in MOS silicon devices, dielectric breakdown continues to pose a formidable challenge. A more complete understanding of the failure mechanism which induces oxide rupture has become an absolute necessity in order t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b1898aeec23c603858d6147e6a114e00
https://doi.org/10.1117/12.139343
https://doi.org/10.1117/12.139343
Autor:
Stella Kohn, James W. Miller, Sudhindra Tatti, Nicholas Dickson, Mark Jackson, Ronald E. Pyle
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Electro-State Discharge (ESD) induced leakage in output transistors is a serious concern in modern CMOS processes. Previous papers have attributed an increase in output leakage after Human Body Model (HBM) ESD testing, to the formation of small silic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::303b26a405a500d31e652328c9bc762a
https://doi.org/10.1117/12.139346
https://doi.org/10.1117/12.139346
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.