Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Niazmand, M. A."'
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 25 August 2019 798:311-319
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings; 8/17/2022, Vol. 2559 Issue 1, p1-10, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Two different methods for shallow junction formation and poly-Si doping based on outdiffusion of As, B, BF2 from CoSi2 have been evaluated in complete sub 0.5 mu m NMOS and PMOS processes. p+ and n+ junctions were processed with a total depth down to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::b303d651c2e8a8d6a908aefce649387a
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/183578
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/183578
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 1993 21(1):427-430
Autor:
Niazmand, M
Publikováno v:
Microelectronic Engineering; 1993, Vol. 21 Issue: 1-4 p427-427, 1p