Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Nguyen Dinh Huynh"'
Publikováno v:
Le Journal de Physique Colloques. 51:C1-439
In order to discriminate between the role of the structure and chemistry on the electrical activity of boundaries, p-type silicon bicrystals, characterized by a chemical gradient in aluminium from bottom to top of the ingot, were grown by a direction
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b5dab69928aaf40182c9b0f97b3c9292
https://doi.org/10.1051/jphyscol:1990168
https://doi.org/10.1051/jphyscol:1990168
Publikováno v:
Revue de Physique Appliquée
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1987, 22 (7), pp.519-528. ⟨10.1051/rphysap:01987002207051900⟩
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1987, 22 (7), pp.519-528. ⟨10.1051/rphysap:01987002207051900⟩
La méthode de croissance développée permet de préparer des lingots de silicium mono et polycristallins. La solidification est réalisée de bas en haut à partir d'un échangeur de chaleur. Divers matériaux ont été testés pour la réalisation
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ffeca27bd9b194c92e5f596079632218
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00245571/file/ajp-rphysap_1987_22_7_519_0.pdf
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00245571/file/ajp-rphysap_1987_22_7_519_0.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.