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Autor:
Nguyen, Thi Dak Ha
Cette thèse est une contribution aux développements de HEMTS AlGaN/GaN sur substrat de silicium pour des applications basses fréquences sous fortes tensions (typiquement 600V) comme les commutateurs pour la domotique ou les circuits de puissance d
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2013PA112344/document
Autor:
Nguyen, Thi Dak Ha
Publikováno v:
Autre [cond-mat.other]. Université Paris Sud-Paris XI, 2013. Français. ⟨NNT : 2013PA112344⟩
This thesis is a contribution to the development of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrates for low frequency and applications under high voltages (typically 600V) as switches for home automation or power circuits of electric vehicles. It was conducted
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::506a26bca8696ae5d6eef3759315134d
https://theses.hal.science/tel-00934655
https://theses.hal.science/tel-00934655
Autor:
Dagher, Gulnar, Nguyen, Thi Dak Ha, Péré-Laperne, Nicolas, Mimila-Arroyo, Jaime, Lijadi, Melania, Jomard, François, Dupuis, Christophe, Bardou, Nathalie, Pelouard, Jean-Luc
Publikováno v:
Physica Status Solidi (C); Jul2011, Vol. 8 Issue 7/8, p2416-2419, 4p
