Zobrazeno 1 - 10
of 52
pro vyhledávání: '"Ngai, Joseph H."'
Autor:
Chen, Tongjie, Ahmadi-Majlan, Kamyar, Lim, Zheng Hui, Zhang, Zhan, Ngai, Joseph H., Kumah, Divine . P.
The control of chemical exchange across heterointerfaces formed between ultra-thin functional transition-metal oxide layers provides an effective route to manipulate the electronic properties of these systems. We show that cationic exchange across th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2109.08586
Autor:
Jiang, Jiechao, Chetuya, Nonso Martin, Ngai, Joseph H., Grzybowski, Gordon J., Meletis, Efstathios I., Claflin, Bruce
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 4/28/2024, Vol. 135 Issue 16, p1-13, 13p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lim, Zheng Hui, Quackenbush, Nicholas F., Penn, Aubrey, Chrysler, Matthew, Bowden, Mark, Zhu, Zihua, Ablett, James M., Lee, Tien-lin, LeBeau, James M., Woicik, Joseph C., Sushko, Peter V., Chambers, Scott A., Ngai, Joseph H.
Built-in electric fields across heterojunctions between semiconducting materials underpin the functionality of modern device technologies. Heterojunctions between semiconductors and epitaxially grown crystalline oxides provide a rich setting in which
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1810.04648
Autor:
Chen, Tongjie, Ahmadi-Majlan, Kamyar, Lim, Zheng Hui, Zhang, Zhan, Ngai, Joseph H., Kemper, Alexander F., Kumah, Divine P.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 113, 201601 (2018)
The interfacial structure of SrZr$_{x}$Ti$_{1-x}$O$_3$ films grown on semiconducting Ge substrates are investigated by synchrotron X-ray diffraction and first-principles density functional theory. By systematically tuning Zr content x, the effects of
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1806.11140
Autor:
Ahmadi-Majlan, Kamyar, Chen, Tong-Jie, Lim, Zheng Hui, Conlin, Patrick, Hensley, Ricky, Su, Dong, Chen, Hanghui, Kumah, Divine P., Ngai, Joseph H.
We present electrical and structural characterization of epitaxial LaTiO3/SrTiO3 quantum wells integrated directly on Si(100). The quantum wells exhibit metallic transport described by Fermi-liquid behavior. Carriers arise from both charge transfer f
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1710.08597
Autor:
Moghadam, Reza M., Xiao, Zhiyong, Ahmadi-Majlan, Kamyar, Grimley, Everett D., Bowden, Mark, Ong, Phuong-Vu, Chambers, Scott A., Lebeau, James M., Hong, Xia, Sushko, Peter V., Ngai, Joseph H.
The epitaxial growth of multifunctional oxides on semiconductors has opened a pathway to introduce new functionalities to semiconductor device technologies. In particular, ferroelectric materials integrated on semiconductors could lead to low-power f
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1703.00126
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Xiong, Chi, Pernice, Wolfram H. P., Ngai, Joseph H., Reiner, James W., Kumah, Divine, Walker, Frederick J., Ahn, Charles H., Tang, Hong X.
Publikováno v:
Nano Lett., 2014, 14 (3), pp 1419-1425
The integration of complex oxides on silicon presents opportunities to extend and enhance silicon technology with novel electronic, magnetic, and photonic properties. Among these materials, barium titanate (BaTiO3) is a particularly strong ferroelect
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1401.4184
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.