Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Nezhenzev, A."'
Autor:
V. I. Egorkin, V. E. Zemliakov, A. V. Saharov, G. V. Medvedev, A. F. Zazul’nokov, E. A. Tarasova, A. V. Nezhenzev, E. E. Zavarin, E. S. Obolenskaya, S. V. Obolensky, V. V. Lundin, A. V. Hananova
Publikováno v:
Semiconductors. 50:1574-1578
The sensitivity of classical n +/n – GaAs and AlGaN/GaN structures with a 2D electron gas (HEMT) and field-effect transistors based on these structures to γ-neutron exposure is studied. The levels of their radiation hardness were determined. A met
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::57f1b76ac7a3a279c898257a8222171d
https://doi.org/10.1134/s1063782616120216
https://doi.org/10.1134/s1063782616120216
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.