Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Netzke, Samuel"'
Autor:
Morelhao, Sergio L., Kycia, Stefan, Netzke, Samuel, Fornari, Celso I., Rappl, Paulo H. O., Abramof, Eduardo
Epitaxial films of bismuth telluride topological insulators have received increasing attention due to potential applications in spintronic and quantum computation. One of the most important properties of epitaxial films is the presence of interface d
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.15042
Autor:
Morelhao, Sergio L., Kycia, Stefan, Netzke, Samuel, Fornari, Celso I., Rappl, Paulo H. O., Abramof, Eduardo
In the supporting information file for article Dynamics of Defects in van der Waals Epitaxy of Bismuth Telluride Topological Insulators(J. Phys. Chem. C 2019, 123, 24818-24825, doi: 10.1021/acs.jpcc.9b05377), several topics on X-ray diffraction analy
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1911.00396
Autor:
Kycia, Stefan, Morelhao, Sergio L., Netzke, Samuel, Fornari, Celso I., Rappl, Paulo H. O., Abramof, Eduardo
Potential applications in spintronics and quantum computing have motivated much recent research in epitaxial films of bismuth telluride. This system is also an example of van der Waals (vdW) epitaxy where the interface coherence between film and subs
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1812.10804
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.