Zobrazeno 1 - 10
of 121
pro vyhledávání: '"Nemeth, W."'
Autor:
Anderson, C.L., Guthrey, H.L., Nemeth, W., Jiang, C.-S., Page, M.R., Stradins, P., Agarwal, S.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing October 2023 165
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hartenstein, M.B., Harvey, S., Nemeth, W., LaSalvia, V., Page, M., Young, D.L., Agarwal, S., Stradins, P.
38th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 115-118
Efficiencies surpassing 26% have been achieved for single-junction Si solar cells based on the interdigitated back contact (IBC) architecture. However, the possibility of
Efficiencies surpassing 26% have been achieved for single-junction Si solar cells based on the interdigitated back contact (IBC) architecture. However, the possibility of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b271e7039d380907c9f24647495034b2
Autor:
Chen, K., Napolitani, E., De Tullio, M., Jiang, C.-S., Theingi, S., Nemeth, W., Page, M., Stradins, P., Agarwal, S., Young, D.L.
38th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 144-146
Poly-Si/SiOx passivating contacts are one of the key enablers for high-efficiency, low-cost c-Si solar cells. In recent years, record devices have reached efficiencies of
Poly-Si/SiOx passivating contacts are one of the key enablers for high-efficiency, low-cost c-Si solar cells. In recent years, record devices have reached efficiencies of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::be3546c920d0b00f74cb31e1a112ff4c
Autor:
Guthrey, H., Kale, A.S., Lima Salles De Souza, C., Nemeth, W., Page, M., Agarwal, S., Young, D., Al-Jassim, M.M., Stradins, P.
37th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 340-342
In this contribution, we report on the charge collection characteristics of silicon photovoltaic devices with passivated contacts based on the c-Si/SiOx/poly-Si structure
In this contribution, we report on the charge collection characteristics of silicon photovoltaic devices with passivated contacts based on the c-Si/SiOx/poly-Si structure
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4f4c5b729960f40fd28afbf5f9112e54
Autor:
Lima Salles, C., Guthrey, H. L., Kale, A. S., Nemeth, W., Page, M., Young, D. L., Stradins, P., Agarwal, S.
Publikováno v:
ACS Applied Energy Materials; 3/28/2022, Vol. 5 Issue 3, p3043-3051, 9p
The effect of film tensile stress on crystallite nucleation and growth in thermally annealed a-Si:H.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 115 Issue 8, p1-8, 8p, 2 Color Photographs, 3 Charts, 4 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.