Zobrazeno 1 - 10
of 253
pro vyhledávání: '"Nemec, L."'
Autor:
Sforzini, J., Nemec, L., Denig, T., Stadtmüller, B., Lee, T. -L., Kumpf, C., Soubatch, S., Starke, U., Rinke, P., Blum, V., Bocquet, F. C., Tautz, F. S.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 114, 106804 (2015)
We measure the adsorption height of hydrogen-intercalated quasi-free-standing monolayer graphene on the (0001) face of 6H silicon carbide by the normal incidence x-ray standing wave technique. A density functional calculation for the full ($6 \sqrt{3
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1411.4753
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physical Review B
We address the stability of the surface phases that occur on the C side of 3C-SiC(¯1 ¯1 ¯1) at the onset of graphene formation. In this growth range, experimental reports reveal a coexistence of several surface phases. This coexistence can be expl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e8f714ea1c51f6f85431144563ae86f6
https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/22369
https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/22369
Autor:
Sforzini, J., Nemec, L., Denig, T., Stadtmüller, B., Lee, T., Kumpf, C., Soubatch, S., Starke, U., Rinke, P., Blum, V., Bocquet, F., Tautz, F.
Publikováno v:
Physical review letters 114(10), 106804 (2015). doi:10.1103/PhysRevLett.114.106804
Physical Review Letters
Physical Review Letters
We measure the adsorption height of hydrogen-intercalated quasifreestanding monolayer graphene on the (0001) face of 6H silicon carbide by the normal incidence x-ray standing wave technique. A density functional calculation for the full (63√×63√
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid_dedup__::ff230aa366ad784b26b4537db9d18872
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/25815955
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/25815955
Autor:
Schumann, T., Dubslaff, M., Oliveira Jr, M.H., Hanke, M., Fromm, F., Seyller, T., Nemec, L., Blum, V., Scheffler, M., Lopes, J.M.J., Riechert, H.
Publikováno v:
New Journal of Physics
'New Journal of Physics ', vol: 15, pages: 123034-1-123034-16 (2013)
'New Journal of Physics ', vol: 15, pages: 123034-1-123034-16 (2013)
Growth of nanocrystalline graphene films on (6√3 × 6√3)R30°-reconstructed SiC surfaces was achieved by molecular beam epitaxy, enabling the investigation of quasi-homoepitaxial growth. The structural quality of the graphene films, which is inve
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::74c27128c2f12ace153ba84fd31f0eea
https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0014-9EC4-911858/00-001M-0000-0014-9EC2-D
https://hdl.handle.net/11858/00-001M-0000-0014-9EC4-911858/00-001M-0000-0014-9EC2-D
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.