Zobrazeno 1 - 10 of 354 pro vyhledávání: '"Nemanich, R."'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Dynamics of dysprosium silicide nanostructures on Si(001) and (111) surfaces.
Autor: Zeman, M. C.1, Nemanich, R. J.2, Sunda-Meya, A.3 asundame@xula.edu
Publikováno v: Journal of Materials Science. Feb2014, Vol. 49 Issue 4, p1812-1823. 12p. 5 Diagrams, 5 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Titanium silicide islands on atomically clean Si(100): Identifying single electron tunneling effects.
Autor: Tedesco, J. L., Rowe, J. E., Nemanich, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jul2010, Vol. 107 Issue 12, p123715, 8p, 1 Diagram, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Conducting atomic force microscopy studies of nanoscale cobalt silicide Schottky barriers on Si(111) and Si(100).
Autor: Tedesco, J. L., Rowe, J. E., Nemanich, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr2009, Vol. 105 Issue 8, p083721-083728, 7p, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Electrical and photoelectrical characterization of undoped and S-doped nanocrystalline diamond films.
Autor: Kulkarni, P., Porter, L. M., Koeck, F. A. M., Tang, Y.-J., Nemanich, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr2008, Vol. 103 Issue 8, p084905-8, 8p, 1 Black and White Photograph, 3 Charts, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Electronic properties of the Zr–ZrO2–SiO2–Si(100) gate stack structure.
Autor: Fulton, C. C., Lucovsky, G., Nemanich, R. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/15/2006, Vol. 99 Issue 6, p063708, 10p, 3 Diagrams, 4 Charts, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Thermal stability of TiO2, ZrO2, or HfO2 on Si(100) by photoelectron emission microscopy.
Autor: Zeman, M. C., Fulton, C. C., Lucovsky, G., Nemanich, R. J., Yang, W.-C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/2006, Vol. 99 Issue 2, p023519, 6p, 4 Black and White Photographs, 1 Chart
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje